Giữa tuần rồi các nhà lãnh đạo của Samsung Electronics đã công bố việc đã bắt đầu cho sản xuất với số lượng lớn chip nhớ DDR3 xanh 2 Gb đầu tiên, sử dụng công nghệ 30 nm, nhanh hơn 60% so với DDR3 công nghệ 40 nm.

Các loại RAM DDR3 với công nghệ mới sẽ cung cấp hiệu suất làm việc cực cao và giảm điện năng tiêu thụ cho máy tính và các ứng dụng máy chủ được thiết kế để tận dụng bộ xử lí đa lõi mới nhất. Giải pháp nâng cao hiệu suất làm việc cho hệ thống được cung cấp bởi công nghệ 30 nm với các ứng dụng máy chủ đạt đến 1,866 Gbit/giây ở 1,35 volt, và module cho máy tính đạt đến 2,133 Gbit/giây ở 1,5 volt.

Chip mới với công nghệ mới 30 nm của Samsung được đánh giá là có hiệu suất nhanh hơn 3,5 lần so với DDR2 và 1,6 lần so với công nghệ DDR3 50 nm. Về việc tiết kiệm điện năng cho các ứng dụng máy chủ thì công nghệ DDR3 30 nm cũng sẽ tiết kiệm hơn 20% so với công nghệ DDR3 50 nm.

Các loại bộ nhớ DDR3 30 nm 4 GB sử dụng cho các máy tính cá nhân có thể hoạt động nhanh hơn 60% so với 2 thanh DDR3 50 nm 2 GB và sử dụng điện năng ít hơn 65%. Samsung cũng thông báo rằng kế hoạch sản xuất bộ nhớ mới DDR3 4 GB sẽ tiến hành vào cuối năm nay.

Theo Hitechreview.