Công ty Synopsys, một hãng phát triển chip và hệ thống điện tử, mới đây vừa cho biết rằng họ đã cùng với Samsung, Cadence, Mentor và ARM sản xuất thành công chip FinFET đầu tiên dựa trên dây chuyền 14 nm của Samsung.

Synopsys cho biết rằng công nghệ làm bán dẫn FinFET trong không gian ba chiều giúp mang lại hiệu năng cao hơn cho chip, đồng thời giảm mức độ tiêu thụ điện so với quy trình phẳng (planar) thông thường. Nhờ sự hợp tác trong nhiều năm qua, Samsung và Synopsys đã giải quyết được những thách thức trong việc sản xuất bán dẫn ba chiều, chẳng hạn như tìm được phương pháp giả lập mạch điện, các quy tắc vật lí trong thiết kế sản phẩm FinFET…

Ngoài sản phẩm chip FinFET 14 nm nói trên, Synopsys cho biết họ đã làm việc chặt chẽ với Samsung để phát triển nên bộ nhớ nhúng "DesignWare" được tích hợp giải pháp tự kiểm nghiệm và sửa chữa lỗi. Những công cụ dùng trong việc thiết kế, tích hợp transistors 3D FinFET cũng được Synopsys xây dựng với độ chính xác cao. Trong thời gian tới, Samsung, Synopsys, ARM và những đối tác khác sẽ tiếp tục bắt tay nhau để cải tiến việc sản xuất chip FinFET 14 nm, hứa hẹn mang lại hiệu năng cao nhưng vẫn đảm bảo khả năng tiết kiệm điện cho các VXL và bộ nhớ của tương lai.

FinFET là cụm từ được dùng để mô tả một transistor hai cổng dạng không phẳng. Nó được phát triển dựa trên thiết kế của transistor một cổng DELTA đi trước. Tính chất khác biệt của FinFET đó là các kênh truyền dẫn được bọc lại bởi một lớp fin silicon mỏng, từ đó tạo nên hình dáng cho bóng bán dẫn và giúp quyết định độ dài kênh hiệu dụng của bóng.

Theo NLĐ/Engadget