Theo Samsung, với dung lượng bộ nhớ cực lớn, mô-đun bộ nhớ của hãng sẽ cải thiện hiệu suất xử lí ứng dụng vì dữ liệu sẽ được lưu trữ trong bộ nhớ mà không cần phải chuyển đổi thường xuyên giữa DRAM với các thành phần lưu trữ khác.

DDR4 là chuẩn DRAM thế hệ mới để thay thế cho DDR3, hứa hẹn cung cấp băng thông bộ nhớ nhiều hơn 50% và tiết kiệm năng lượng nhiều hơn 35% so với tiền nhiệm. Nó sẽ được sử dụng trên máy chủ và máy tính chơi game bắt đầu vào quý sau. Intel hiện đang phát triển một chip tương thích DDR4 có tên gọi Grantley, hứa hẹn ra mắt vào đầu tháng Chín tới, sẽ được sử dụng bởi các máy chủ của Lenovo và Dell.

Thay vì sắp xếp các chip nhớ theo chiều ngang trên DIMM, Samsung áp dụng công nghệ sắp xếp theo chiều dọc để có thể tận dụng tốt hơn không gian có sẵn trên DIMM.

Kết nối TSV mà Samsung sử dụng trên chip nhớ của mình là một công nghệ mới cho bộ nhớ. TSV hiện đang được sử dụng trong công nghệ Hybrid Memory Cube (HMC) của Micron Technologies và sẽ được sử dụng trong chip đồ họa của Nvidia trong những năm tới. Chip nhớ của Samsung được sản xuất dựa trên quy trình 20 nm tiên tiến.

Các nhà sản xuất chip nhớ khác là Crucial và Adata cũng đã phát triển chip DDR4 DIMM, nhưng với công suất thấp hơn.

Nguồn PC World.




Bình luận

  • TTCN (0)