Dự đoán này xuất phát từ tin đồn rằng Qualcomm sẽ sử dụng quy trình sản xuất 10nm của Samsung cho vi xử lí Snapdragon 830.

Hiện tại, vi xử lí Snapdragon 820 (mới được ra mắt 3 tuần trước) được sản xuất dựa trên quy trình 14nm FinFET của Samsung, hỗ trợ 6 GB RAM. Các nhà phân tích dự đoán với quy trình sản xuất chip 10nm, Snapdragon 830 sẽ có khả năng hỗ trợ 8 GB RAM.

Cách đây không lâu, Samsung tuyên bố họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip RAM 12 Gb LPDDR4. Bằng cách ghép 4 chip RAM 12 Gb với nhau, Samsung có thể tạo ra RAM 6 GB (Gb là viết tắt của Gigabit còn GB là Gigabyte, vì 8 bit = 1 byte nên 12 Gb =1,5 GB). Theo kế hoạch, trong năm 2016 Samsung sẽ sản xuất chip RAM 16 Gb LPDDR4. Vẫn bằng cách ghép 4 chip RAM 16 Gb, Samsung có thể tạo ra RAM 8 GB và nó cùng vi xử lí Snapdragon 830 sẽ tạo thành một cặp.

Mặc dù mức RAM 8 GB có vẻ sẽ hơi thừa đối với một chiếc smartphone, nhưng rõ ràng, các nhà sản xuất luôn muốn những sản phẩm chủ lực của mình sở hữu cấu hình mạnh nhất, vượt qua tất cả đối thủ. Điều đó được minh chứng khi Asus ra mắt smartphone đầu tiên RAM 4 GB, họ luôn "nhắc đi nhắc lại" danh hiệu của mình và cho rằng chiếc smartphone RAM 4G của họ mạnh hơn tất cả các smartphone trên thị trường, bỏ qua sự ảnh hưởng của phần mềm tới hiệu suất thực tế.

 

Theo Nghenhinvietnam.