Tập đoàn Toshiba vừa giới thiệu tới thị trường loạt SSD ứng dụng công nghệ MLC (multilevel-cell) cho bộ nhớ NAND flash. Với dung lượng cao (đạt 128 GB) các sản phẩm này được thiết kế ưu tiên cho Notebook PC. Bạn có thể chiêm ngưỡng các sản phẩm này tại hội chợ triễn lãm điện tử ở Las Vegas từ ngày mùng 7 tới ngày mùng 10 tháng 1. Các sản phẩm này sẽ có mặt trên thị trường vào quí 1 năm sau.

Đi kèm trong sự bùng nổ của thế giới ĐTDĐ là sự phát triển không ngừng của công nghệ chế tạo thẻ nhớ. Dung lượng thẻ nhớ dành cho ĐTDĐ hiện tại không chỉ còn là 32 MB, 64 MB,... hay thậm chí 8 GB mà sức chứa của chúng đã đạt tới 16 GB. Đó là thông báo mới được đưa ra từ hãng Transcend với sản phẩm thẻ nhớ SDHC 16 GB.

Trung tâm nghiên cứu công nghệ nano ứng dụng (CANi) thuộc trường ĐH Arizona (Mỹ) đã nghiên cứu thành công một công nghệ lưu trữ mới có thể thay thế cho bộ nhớ Flash hiện nay. Tương lai bộ nhớ Flash có thể sẽ bị “vứt vào sọt rác”.

Trong nhiều năm nay, các công nghệ kế tiếp trong tương lai còn đang được đưa ra bàn luận thì công nghệ bộ nhớ flash vẫn tiếp tục có những "đột phá". Vừa rồi thì Eye-Fi mới giới thiệu thẻ nhớ tích hợp Wi-Fi và mới đây nhất Samsung tiết lộ về kế hoạch phát triển chip nhớ theo công nghệ 30 nm để sản xuất thẻ nhớ dung lượng 64 GB - gấp 4 lần sức chứa lớn nhất được biết cho tới lúc này.

Tất nhiên bạn không thể gọi nó bằng cái tên nào khác khi hãng Gresso đã thiết kế nó dựa theo cảm hứng từ câu chuyện tình đầu tiên trong lịch sử loài người: Chuyện tình Adam và Eva!

Fusion-io (công ty được thành lập vào năm 2006 – với mục tiêu tạo ra một cuộc cách mạng trong ngành công nghiệp IT) vừa công bố thẻ nhớ lưu trữ flash có dung lượng lên tới 640 GB sử dụng khe cắm PCIe. Card có tên gọi ioDrive, có thể đọc dữ liệu ở tốc độ 800 MB/s và ghi ở tốc độ 600 MB/s.

Hôm qua Nokia cho biết họ sẽ hợp tác với Samsung Electronics, Sony Ericsson, Spansion Inc., STMicroelectronics, và Texas Instruments để cùng nhau tạo ra một chuẩn thẻ nhớ mới và các giải pháp bộ nhớ nhúng được tiêu chuẩn hóa bởi hiệp hội công nghệ JEDEC.

Seagate Technology - tập đoàn sản xuất ổ đĩa từ lớn nhất thế giới sẽ sản xuất ổ lưu trữ dựa trên bộ nhớ flash, theo như tuyên bố của giám đốc điều hành công ty Bill Watkins.

Hôm nay, hãng sản xuất chip nhớ lớn thứ 2 thế giới - Hynix Semiconductor Inc, đã đưa ra thông báo về việc hãng đã phát triển thành công DRAM nhỏ nhất và nhanh nhất cho thiết bị di động với dung lượng 1 GB. Hãng dự định sẽ bắt đầu đưa vào sản xuất hàng loạt vào đầu năm 2008.

Một nhóm cộng tác chung đã được hình thành với sự tham gia cùa 3 ông lớn là Intel, Microsoft và Dell nhằm phát triển và thúc đẩy những ứng dụng dựa trên công nghệ bộ nhớ Flash cho máy tính PC. Với công nghệ ReadyBoost và ReadyDrive hiện có trong Vista, công nghệ Flash đã minh chứng cho những ưu điểm và hưa hẹn tiềm năng to lớn đối với ngành công nghiệp máy tính trong vài năm tới.

Seoul, 30/5/2007: Samsung Electronics công bố bộ nhớ tích hợp 4GB MCP (multi-chip package) lần đầu tiên cho điện thoại di động. Với chip nhớ dung lượng cao này, Samsung không những đáp ứng được nhu cầu lưu trữ dữ liệu audio và video ngày càng tăng của người dùng di động mà còn giúp nhà sản xuất giảm chi phí bằng cách loại bỏ các giao tiếp thẻ nhớ (NAND flash) không cần thiết gắn ngoài.

Samsung công bố hôm nay rằng họ bắt đầu sản xuất đại trà chip nhớ flash NAND MLC (Multi-Level Cell) với  công nghệ in laser hiện đại nhất 51 nm. Chip flash mới sẽ được sản xuất với dung lượng 16Gb/chip, đây là kích thước chip flash lớn nhất trên thị trường.

FLASH OFDM - Công nghệ truy nhập không dây băng thông rộng di động tốc độ cao kết hợp với trạm gốc nanoGSM picocell vừa được Siemens Networks giới thiệu tại Pekan, một thành phố hẻo lánh ở Pahang, Malaysia ngày 3/3/2007.