Những nhà sản xuất bộ nhớ NAND flash luôn tìm cách giảm kích thước vi mạch để tăng dung lượng và giảm giá thành. Intel và Micron công bố rằng họ đang bắt đầu tiến hành sản xuất hàng loạt chip bộ nhớ 32 GB multi-level cell (MLC) NAND flash với công nghệ 34 nm. Những bộ nhớ này sẽ được sản xuất và bởi IM Flash Technologies (IMFT)-- công ty liên doanh bởi hai hãng trên. 

Trong những năm gần đây Toshiba liên tục đầu tư cho thị trường công nghệ bộ nhớ  NAND Flash. Các thế hệ chip nhớ NAND đang ngày càng nhỏ hơn và cột mốc mới 43 nm đã được Toshiba giới thiệu cho dòng chip SLC NAND của mình.

Intel vừa công bố chip cell đa cấp 32Gb với công nghệ xử lý 34nm, thiết bị bộ nhớ NAND dưới 40nm đầu tiên dùng công nghệ xử lý trong ngành công nghiệp. Đây là kích thước hình học xử lý NAND nhỏ nhất trên thị trường.

Phá vỡ rào cản tốc độ truyền dữ liệu của các loại thẻ nhớ flash thông thường, Micron và Intel tuyên bố hôm thứ năm (31/01) về một cấu trúc thẻ nhớ flash mới cho phép tăng tốc độ đọc/ghi lên gấp 5 lần bình thường.

Tập đoàn Toshiba vừa giới thiệu tới thị trường loạt SSD ứng dụng công nghệ MLC (multilevel-cell) cho bộ nhớ NAND flash. Với dung lượng cao (đạt 128 GB) các sản phẩm này được thiết kế ưu tiên cho Notebook PC. Bạn có thể chiêm ngưỡng các sản phẩm này tại hội chợ triễn lãm điện tử ở Las Vegas từ ngày mùng 7 tới ngày mùng 10 tháng 1. Các sản phẩm này sẽ có mặt trên thị trường vào quí 1 năm sau.

Seoul, 30/5/2007: Samsung Electronics công bố bộ nhớ tích hợp 4GB MCP (multi-chip package) lần đầu tiên cho điện thoại di động. Với chip nhớ dung lượng cao này, Samsung không những đáp ứng được nhu cầu lưu trữ dữ liệu audio và video ngày càng tăng của người dùng di động mà còn giúp nhà sản xuất giảm chi phí bằng cách loại bỏ các giao tiếp thẻ nhớ (NAND flash) không cần thiết gắn ngoài.