IBM công bố bước đột phá mới với bộ nhớ biến đổi pha có tốc độ ghi dữ liệu nhanh hơn 100 lần so với công nghệ NAND Flash và tuổi thọ cũng kéo dài hơn.

IBM khẳng định đã sản xuất thành công chip PCM (phase change memory - bộ nhớ đổi pha) có thể lưu 2 bit dữ liệu trên cùng một ô (cell) mà không làm hỏng dữ liệu. Giống NAND Flash (hiện đạt tốc độ ghi cao nhất 2 Gbit/giây và được dùng trong ổ SSD), PCM không xóa dữ liệu, tức vẫn lưu lại thông tin sau khi nguồn điện bị ngắt.

Nhưng khác với NAND, PCM không đòi hỏi dữ liệu đang tồn tại phải được xóa trước khi dữ liệu mới được ghi vào. Chu trình xóa - ghi này làm giảm năng suất và làm hao mòn bộ nhớ NAND Flash, khiến độ bền của nó chỉ khoảng 5.000 đến 1.000 lần vòng ghi trên sản phẩm điện tử tiêu dùng và khoảng 100.000 lần trên các sản phẩm dành cho doanh nghiệp.

Bên cạnh đó, PCM có thể đóng vai trò như bộ nhớ mở rộng của DRAM - công nghệ được cho là sẽ gặp khó khăn về mặt kĩ thuật chỉ trong vào năm nữa khi đạt đến chu trình sản xuất 20-30 nanometer.

IBM không dự định sản xuất PCM mà sẽ bán bản quyền cho các nhà sản xuất như Toshiba và Samsung.

thẻ nhớ microSD

Cũng trong tuần này, Samsung tuyên bố chuẩn bị xuất xưởng thẻ nhớ microSD 32 GB thế hệ mới dành cho smartphone với tốc độ đọc dữ liệu 24 MB/giây và tốc độ ghi 12 MB/giây, nhanh gấp 2 lần thế hệ trước.

Theo VnExpress