Samsung Electronics vừa ban hành một tuyên bố tiết lộ về kế hoạch xây dựng một nhà máy sản xuất chip nhớ flash ở Trung Quốc.

Samsung cho biết đã trình lên chính phủ Hàn Quốc kế hoạch xây dựng một dây chuyền sản xuất chất bán dẫn ở nước ngoài. Trong khi chờ đợi sự phê duyệt, Samsung sẽ tiến hành các thảo luận với chính phủ Trung Quốc về khả năng xây dựng một nhà máy sản xuất các các tấm wafer flash NAND dành riêng cho các sản phẩm chip nhớ sản xuất theo quy trình công nghệ 20 nm và thấp hơn.

Samsung dự kiến ​​sẽ bắt đầu xây dựng các nhà máy tại Trung Quốc vào năm 2012 và sẽ đưa vào các hoạt động sản xuất kể từ năm 2013.

Trong tháng Chín, Samsung đã tuyên bố xây dựng nhà máy sản xuất chất bán dẫn bộ nhớ mới, Line-16, tại khu phức hợp NaNo của thành phố Hwaseong, bắt đầu các hoạt động sản xuất các dòng sản phẩm DRAM, NAND và các dòng sản phẩm bộ nhớ thế hệ tiếp theo.

Samsung cũng lưu ý rằng trước đó công ty cũng đã bắt đầu sản xuất các bộ nhớ flash NAND 20 nm kể từ tháng Chín và có kế hoạch chuyển đổi sang quy trình công nghệ 10 nm vào năm 2012.

Theo Digitimes