SanDisk ra tuyên bố ngày hôm nay về hai công nghệ mới mà hãng này vừa thành công với hai sản phẩm: mạch nhớ NAND 43nm MLC và mạch nhớ NAND ba bit/cell. Với hai công nghệ này, SanDisk cho biết có thể tăng mật độ vi mạch nhớ trên một con chip lên gấp đôi so công nghệ thông thường hiện nay.

Sản phẩm mạch nhớ NAND 43 nm MLC (multi-level cell : cell đa trạng thái) sẽ cho phép SanDisk nâng gấp đôi mật độ vi mạch nhớ trên một con chip nhớ so với công nghệ 56 nm 16 Gb hiện tại. Đồng thời, với công nghệ 43nm, các sản phẩm sẽ có giá thành thấp hơn hứa hẹn một tương lai không xa cho những bộ nhớ flash SSD với giá thành không quá cao như hiện nay.

"Chúng tôi rất vui mừng về sự khởi đầu của các sản phẩm theo công nghệ mạch nhớ NAND 43 nm MLC với chi phí giảm đáng kể (so với công nghệ hiện tại)", tiến sĩ Randhir Thakur, phó giám đốc phụ trách công nghệ của SanDisk nói "Thế hệ công nghệ 43 nm sẽ là vấn đề mấu chốt của chúng tôi trong năm 2008 vì chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp các công nghệ tân tiến và kinh tế cho các khách hàng của mình."

Công nghệ 43 nm này của SanDisk được phát triển trên cơ sở hợp tác với Toshiba. Trước mắt, sản phẩm chip nhớ 16Gb dựa trên nền công nghệ mới sẽ bắt đầu có mặt trên thị trường từ quý 2 năm 2008. Chip nhớ 32 Gb sẽ có mặt muộn hơn vào nửa sau của năm 2008.

Bên cạnh công nghệ mới 43 nm, SanDisk và Toshiba còn tuyên bố đã có những bước tiến quan trọng trong công nghệ mạch nhớ NAND 3 bit/cell (một cell sẽ có 8 trạng thái, tương ứng 3 bit dữ liệu). Công nghệ này sẽ giúp SanDisk nâng thêm 20% vi mạch lên trên cùng một xếp lớp (wafer) so với công nghệ 56 nm MLC sử dụng 2 bit/cell (một cell sẽ có 4 trạng thái, tương ứng 2 bit dữ liệu).

SanDisk dự định sẽ xuất xưởng những sản phẩm mẫu thương mại đầu tiên theo công nghệ 3 bit/cell trong khoảng thời gian hai tháng 3 và 4.

Quang Minh (theo DailyTech)