Samsung vừa công bố phát triển thành công chip nhớ DRAM 8 Gb LPDDR4 đầu tiên, cung cấp mật độ nhớ dày đặc hơn, nhanh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn so với các sản phẩm hiện tại.

Chip nhớ mới của Samsung được phát triển dựa trên quy trình công nghệ 20 nm, cho phép nhà sản xuất tạo ra 1 GB RAM trên cùng một khuôn (8 Gb = 1 GB). Bằng cách kết hợp 4 chip như vậy, các nhà sản xuất thiết bị có thể trang bị cho sản phẩm của họ bộ nhớ RAM lên đến 4 GB trong tương lai không xa.

Mục tiêu của chip mới là các smartphone cao cấp, tablet và laptop có khả năng hiển thị ở mật độ điểm ảnh cao trong tương lai. Smartphone WQHD (2560 x 1440 pixel) dự kiến sẽ xuất hiện trên các cửa hàng vào nửa đầu tiên của năm 2014, trong đó bao gồm cả Samsung Galaxy S5 như các tin đồn. Ngoài mục đích hỗ trợ độ phân giải cao, bộ nhớ RAM lớn sẽ giúp các ứng dụng chạy mượt mà hơn cũng như tăng bộ nhớ đệm cho hệ thống, giúp tăng tốc độ hoạt động cũng như giảm mức tiêu thụ pin.

Nhờ kích thước nhỏ hơn của mạch và sử dụng công nghệ LPDDR4, chip này cũng nhanh hơn và tiêu thụ ít điện năng hơn so với LPDDR3. Samsung tuyên bố chip nhớ mới cung cấp hiệu suất làm việc cao hơn 50% so với LPDDR3 nhanh nhất, trong khi lượng điện năng tiêu thụ thấp hơn khoảng 40%, xuống chỉ còn 1,1 volt. Tốc độ truyền dữ liệu trên cũng đạt 3200 Mbps, nhanh gấp đôi so với tốc độ chip LPDDR3 hiện đang được sản xuất.

Samsung cho biết, chip mới sẽ có trong các sản phẩm vào năm 2014. Hiện nay chỉ một số ít thiết bị của Samsung, bao gồm cả Galaxy Note 3, được trang bị RAM 3 GB, nhưng với sự hỗ trợ của VXL 64 bit mà nhiều công ty đang hướng đến trong năm 2014, nhu cầu về mô-đun bộ nhớ kích thước lớn sẽ được quan tâm hơn. Do đó, khả năng hỗ trợ RAM lên đến 4 GB của Galaxy S5 như những tin đồn gần đây hoàn toàn có thể trở thành hiện thực, tuy nhiên RAM 3 GB có khả năng cao hơn.

Theo Androidauthority