Innovative Silicon (ISi) và Hynix Semiconductor đã đạ được thỏa thuận cho phép Hynix sử dụng bản quyền công nghệ Z-RAM để phát triển chip DRAM trong tương lai. Thỏa thuận này trị giá 10 tỷ usd cùng với điều kiện cả 2 công ty cùng hợp tác sản xuất DRAM.

Z-RAM trước đạy được phát triển cho công nghệ bộ nhớ chi phí thấp cho các thíết bị nhúng như chipset cho điện thọai, vi xử lý nhúng, vi điều khiển và các chipset mạng...

Chip DRAMs dựa trên công nghệ Z-RAM sẽ sử dụng dãy transistor đơn (single transistor bitcell) thay vì một nhóm các transistor và tụ điện như trong công nghệ DRAM hiện tại. Kiến trúc của Z-RAM sử dụng các day transitor có kích thước bé hơn, điều này cho phép sản xuất các chip nhớ DRAM có mật độ cao hơn hiện tại (đồng nghĩa với việc tăng dung lượng cho chip DRAM)

Mặc dù AMD là công ty lớn đầu tiên sử dụng bản quyền Z-RAM nhưng Hynix mới là nhà công ty đầu tiên trực tiếp thương mại hóa công nghệ Z-RAM cho thị trường sản xuất DRAM. Cả ISi và Hynix sẽ cùng nhau phối hợp nguồn nhân lực và công nghệ chung cho dự án này.  

"Z-RAM hứa hẹn cung cấp 1 giải pháp hiệu quả cho quy trình sản xụất DRAM mật độ cao. Chúng tôi nhìn thấy tiềm năng rất lớn cho việc xây dựng 1 hệ thống sản xuất dựa trên công nghệ Z-RAM nhằm giúp chúng tôi luôn duy trì và củng cố vị trí dẫn đầu trên thị trường sản xuất bộ nhớ DRAM", theo Sung-Joo Hong, phó chủ tịch bộ phận nghiên cứu và phát triển của Hynix.

ISi cũng sẽ giúp Hynix tích hợp công nghệ Z-RAM vô các quy trình sản xuất DRAM hiện tại của Hynix. Do thiết kế đơn giản hơn (không đòi hỏi có các tụ điện), Z-RAM hứa hẹn tăng hiệu xuất cho quy trình sản xuất DRAM, điều này cho phép Hynix sớm có thể giảm được chi phí cho chip DRAM.

Tuan Duc (Theo DailyTech)