Snapdragon 835 cung cấp hiệu năng xử lý mạnh mẽ hơn đến 27% so với tiền nhiệm

Theo Neowin, ở lần tiết lộ đầu tiên về Snapdragon 835, Qualcomm cho biết chip mới của hãng được phát triển dựa trên quy trình công nghệ FinFET 10 nm, cung cấp hiệu suất tăng 27% và tiết kiệm 40% năng lượng so với phiên bản tiền nhiệm.

Ở lần thông báo này, Qualcomm cho biết Snapdragon 835 sử dụng năng lượng ít hơn 25% so với Snapdragon 820, và nó đi kèm thiết kế nhỏ hơn 35%, cho phép các nhà sản xuất (OEM) tạo ra điện thoại mỏng hơn. Nói cách khác, điện thoại dùng chip Snapdragon 835 có thể trang bị pin lớn hơn với khả năng sử dụng năng lượng hiệu quả hơn.

Về thời lượng pin, chip cao cấp mới được trang bị công nghệ sạc nhanh thế hệ mới Quick Charge. Với Quick Charge 4, bạn sẽ nhận được thời gian trò chuyện kéo dài 5 giờ chỉ sau 5 phút sạc.

Tất nhiên, chip SoC mới cũng có khả năng hỗ trợ nội dung AR và VR, hứa hẹn cung cấp hiệu năng xử lí đồ họa 3D nhanh hơn 25% và màu sắc hiển thị nhiều hơn 60 lần so với thế hệ trước.

Ngoài việc cải thiện chất lượng ghi âm với khả năng chống nhiễu tín hiệu, Snapdragon 835 còn giúp cải thiện hệ thống tự động lấy nét lai, cho phép máy ảnh tập trung các đối tượng nhanh hơn ngay cả trong điều kiện ánh sáng yếu.

Về khả năng kết nối, người dùng sẽ được tiếp cận với modem Snapdragon X16 mà Qualcomm công bố vào tháng 2.2016. X16 hỗ trợ gigabit LTE, và chip này sẽ hỗ trợ multi-gigabit Wi-Fi 802.11ad.

Thành phần cốt lõi của Snapdragon 835 bao gồm 8 lõi Kryo 280, sử dụng công nghệ big.LITTLE của ARM với lõi mạnh nhất chạy ở tốc độ lên đến 2,45 GHz, trong khi lõi tiết kiệm năng lượng sẽ cung cấp tốc độ 1,9 GHz.

Ngoài ra, Snapdragon 835 cũng hỗ trợ làm việc với thiết bị có màn hình 4K UHD, nhưng cũng có thể hỗ trợ xuất tín hiệu 4K ra màn hình ngoài, vốn là yếu tố quan trọng cho Windows.

Theo Thanh Niên.




Bình luận

  • TTCN (0)