Sử dụng công nghệ 50nm, Samsung Electronics cho biết sẽ tiến hành xuất xưởng chip DRAM 128MB cho mobile với băng thông cực "khủng" - 12.8GB/s- gấp tám lần bộ nhớ DRAM thông thường (1.6GB/s) và gấp bốn lần bộ nhớ LPDDR2 DRAM (3.2GB/s).

Để đạt được băng thông như vậy, Samsung cho biết họ đã sử dụng đến 512 chân cắm (pin) cho việc nhập xuất dữ liệu trong khi với các bộ nhớ DRAM trước đó chỉ có tối đa 32 chân cắm. Bên cạnh đó, bộ nhớ DRAM này của Samsung còn tiết kiệm điện hơn đến 87% so với các bộ nhớ DRAM hiện tại.

Byungse So, Phó chủ tịch cấp cao bộ phận kỹ thuật ứng dụng và phát triển bộ nhớ của Samsung phát biểu: "Bộ nhớ DRAM với giao tiếp I/O băng thông lớn của chúng tôi sẽ đóng góp một phần quan trọng vào sự phát triển của các sản phẩm di động có hiệu năng lớn. Chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng việc phát triển các sản phẩm bộ nhớ nhằm nỗ lực thúc đẩy sự phát triển của nền công nghiệp di động."

Samsung cho biết bộ nhớ mới của hãng rất thích hợp cho các tablet và smartphone và hãng sẽ tiếp tục nâng cấp và cải tiến để theo kịp với xu thế. Và trên thực tế, hãng điện tử Hàn Quốc đã nhắm đến việc phát triển và ra mắt bộ nhớ DRAM băng thông rộng với dung lượng lên đến 1GB vào năm 2013.

Theo TCMagazine