Hôm nay trong một thông cáo báo chí hãng điện tử Samsung cho biết hãng sẽ bắt đầu sản xuất những bộ nhớ RAM LPDDR3 có dung lượng đạt đến 3 GB dành cho smartphone.

Bộ nhớ RAM 3 GB mới của hãng được thiết kế dựa trên công nghệ 20 nm, sử dụng 6 con chip LPDDR3 dung lượng 4 Gb cho bộ nhớ tổng cộng là 24 Gb (tương đương 3 GB); các con chip này được đặt đối xứng và xếp chồng lên nhau, vì vậy nó chỉ dày 0,8 mm.

Ngoài ra Samsung cũng cho biết cuối năm nay họ sẽ bắt đầu sản xuất thêm một loại RAM 3 GB mới chỉ sử dụng có 4 con chip nhỏ bên trong, vì thế loại chip sử dụng trong RAM 3 GB mới sẽ còn nhỏ hơn loại kể trên, giúp tăng thêm khoảng không gian trống để tăng thêm pin cho điện thoại.

Như vậy với những thế hệ RAM mới dung lượng cao được trang bị trên các thiết bị di động giúp người dùng có thể thực hiện các thao tác đa nhiệm liền mạch, xem phim Full HD chất lượng cao. Ngoài ra thế hệ RAM này còn tương thích với chuẩn công nghệ 4G LTE-A, đây được xem là chuẩn 4G sẽ phổ biến trong tương lai. Bên cạnh đó, với những thiết bị được trang bị bộ nhớ RAM 3 GB sẽ gần như thu hẹp khoảng cách giữa hiệu suất các thiết bị di động cầm tay với hiệu suất của những chiếc máy tính hiện tại.

Với thế hệ DRAM 3 GB LPDDR3 mới, Samsung hiện đang là hãng cung cấp bộ nhớ RAM cho các thiết bị di động với phạm vi tùy chọn rộng nhất đối với bộ nhớ DRAM di động bao gồm các bộ nhớ 1 GB, 2 GB và 3 GB, đồng thời cũng là hãng đầu tiên cung cấp DRAM dựa trên quy trình công nghệ 20 nm.

Hiện tại Samsung cũng cho biết những thế hệ DRAM 3 GB này sẽ sớm được sử dụng trên các thiết bị di động vào cuối năm nay nhiều khả năng chiếc Galaxy Note III sẽ là chiếc phablet đầu tiên sử dụng bộ nhớ RAM này.

Theo Samsung